AlGaN/GaN

Травление AlGaN/GaN в индуктивно-связанной плазме.

Реактивное ионное травление с ИСП источником (2 или 13.56 МГц)

Основные параметры:

Индуктивно-связанная плазма
13.56 МГц возбуждение плазмы
Химия процесса: основана на Cl
Электрод подложки управляется РЧ

Рис. 1. Схема ИСП.

Характеристики процесса:

Скорость травления: 0.5 - 1 мкм/мин с SiO₂ маской
0.3 мкм/мин с фоторезистивной маской
Селективность к SiO₂ 5 - 10 : 1, к PR 1.15 : 1
Анизотропный профиль
Чистая поверхность травления
Низкий уровень повреждений, вызываемых ионами

Рис. 2. Лаборатория OPT:травление AlGaN/GaN глубиной 10 мкм и травление глубиной 8 мкм

Проведение процесса возможно на Plasmalab System100 (рис. 3).

Система PlasmalabSystem100 позволяет наиболее гибко проводить процессы травления и осаждения в индуктивно-связанной плазме (ICP-PECVD), реактивно-ионного травления (RIE), плазмохимического травления (PE) и плазменно стимулированного химического осаждения (PECVD). Данная система способна решить широкий круг задач в области составных полупроводников, оптоэлектроники, фотоники, микромеханики (MEMS) и микропневматики.

Рис. 3. Внешний вид Plasmalab System100.

Определение конечной точки процесса возможно с использованиием методов лазерной интерферометрии, эллипсометрии, оптической эмиссионной спектроскопии.

Рис. 4. Определение конечной точки травления GaN методом лазерной интерферометрии.