Al
Алюминий - один из основных металлов,
используемых в металлизации при изготовлении БИС и СБИС - не имеет
летучих галогенидов при комнатной температуре , за исключением димера
Al2Cl6 , температура возгонки которого составляет 297 К. Поэтому
травление пленок алюминия осуществляют в плазме хлорсодержащих газов и
их смесей: Cl2, CCl4, BCl3, Cl2/CCl4 ; Cl2 /BCl 3 . Активными
частицами, взаимодействующими с чистой поверхностью алюминия, являются
атомы и молекулы хлора. Вероятности их реакций при комнатной
температуре одинаковы и ионная бомбардировка их не ускоряет. Скорость
травления не зависит от разности потенциалов между плазмой и
поверхностью, мощности разряда. Основной продукт - Al2 Cl6. Травление
изотропно. Однако поверхность пленок алюминия легко окисляется
атмосферным воздухом. Поэтому в технологии, как правило, на практике
травятся окисленные пленки. Окисленные пленки травятся преимущественно
атомами хлора. Анизотропия травления достигается за счет добавок газов
(CCl4, BCl3 ), генерирующих в плазме хлоруглеродные и бор-хлорные
радикалы (CClx, x= 1-3; BClx, x=1-2). Они осаждаются на поверхности,
пассивируя ее, и удаляются, так же как и окисленные слои, за счет
ионной бомбардировки. Продукты травления переосаждаются на поверхности
стенок реактора и частично на поверхности травимых образцов.
Присутствие паров воды вследствие гигроскопичности хлоридов алюминия
адсорбируются, вступая с ними в реакцию с образованием гидроксида
алюминия. Это приводит к невоспроизводимости результатов и изменению
свойств изделий вплоть до полного стравливания оставшихся участков
пленки в БИС и СБИС во время хранения на атмосфере даже под защитным
покрытием. Поэтому необходим строгий контроль за примесью паров воды, а
также меры по очистке и пассивированию поверхности после травления и
защите изделий, чтобы исключить последующий контакт алюминиевыхх слоев
с атмосферой.
ИСП травление Al.

Рис. 1. Реактивное ионное травление с ИСП источником.

Рис. 2. Лаборатория OPT: анизотропное травление Al с неповрежденным резистом.
ИСП источники
ИСП 65 для кусочков и маленькой пластины
ICP 180 для пластин размером вплоть до 4"
ICP 380 для пластин размером вплоть до 8"
Результаты:
Скорость: 0.4 мкм/мин
Высокая селективность к SiO2 расположенному снизу
Селективность к фоторезистивной маске > 3 : 1
Изменение ширины линии< 0.05 мкм/сторону
в пассивации / полоса сопротивления (?)

Рис. 3. Лаборатория OPT: анизотропное травление Al с малым изменением ширины линии.
ИСП 65 для кусочков и маленькой пластины
ICP 180 для пластин размером вплоть до 4"
ICP 380 для пластин размером вплоть до 8"
Результаты:
Скорость: 0.4 мкм/мин
Высокая селективность к SiO2 расположенному снизу
Селективность к фоторезистивной маске > 3 : 1
Изменение ширины линии< 0.05 мкм/сторону
в пассивации / полоса сопротивления (?)

Рис. 3. Лаборатория OPT: анизотропное травление Al с малым изменением ширины линии.
Оборудование:
Plasmalab System 80 Plus
Plasmalab System 100/133 (кластер)
Технология:
Реактивное ионное травление
с ИСП источником (13.56 МГц)
Индуктивно-связанная плазма
Электрод подложки, управляемый RF
Контроль температуры подложки
Многошаговый процесс, основанный на HBr, Cl2

Рис. 4. Plasmalab System100 загрузочным шлюзом и источником ИСП380.
Plasmalab System 80 Plus
Plasmalab System 100/133 (кластер)
Технология:
Реактивное ионное травление
с ИСП источником (13.56 МГц)
Индуктивно-связанная плазма
Электрод подложки, управляемый RF
Контроль температуры подложки
Многошаговый процесс, основанный на HBr, Cl2

Рис. 4. Plasmalab System100 загрузочным шлюзом и источником ИСП380.



