Al

Алюминий - один из основных металлов, используемых в металлизации при изготовлении БИС и СБИС - не имеет летучих галогенидов при комнатной температуре , за исключением димера Al2Cl6 , температура возгонки которого составляет 297 К. Поэтому травление пленок алюминия осуществляют в плазме хлорсодержащих газов и их смесей: Cl2, CCl4, BCl3, Cl2/CCl4 ; Cl2 /BCl 3 . Активными частицами, взаимодействующими с чистой поверхностью алюминия, являются атомы и молекулы хлора. Вероятности их реакций при комнатной температуре одинаковы и ионная бомбардировка их не ускоряет. Скорость травления не зависит от разности потенциалов между плазмой и поверхностью, мощности разряда. Основной продукт - Al2 Cl6. Травление изотропно. Однако поверхность пленок алюминия легко окисляется атмосферным воздухом. Поэтому в технологии, как правило, на практике травятся окисленные пленки. Окисленные пленки травятся преимущественно атомами хлора. Анизотропия травления достигается за счет добавок газов (CCl4, BCl3 ), генерирующих в плазме хлоруглеродные и бор-хлорные радикалы (CClx, x= 1-3; BClx, x=1-2). Они осаждаются на поверхности, пассивируя ее, и удаляются, так же как и окисленные слои, за счет ионной бомбардировки. Продукты травления переосаждаются на поверхности стенок реактора и частично на поверхности травимых образцов. Присутствие паров воды вследствие гигроскопичности хлоридов алюминия адсорбируются, вступая с ними в реакцию с образованием гидроксида алюминия. Это приводит к невоспроизводимости результатов и изменению свойств изделий вплоть до полного стравливания оставшихся участков пленки в БИС и СБИС во время хранения на атмосфере даже под защитным покрытием. Поэтому необходим строгий контроль за примесью паров воды, а также меры по очистке и пассивированию поверхности после травления и защите изделий, чтобы исключить последующий контакт алюминиевыхх слоев с атмосферой.



ИСП травление Al.



Рис. 1. Реактивное ионное травление с ИСП источником.


Рис. 2. Лаборатория OPT: анизотропное травление Al с неповрежденным резистом.

ИСП источники
ИСП 65 для кусочков и маленькой пластины
ICP 180 для пластин размером вплоть до 4"
ICP 380 для пластин размером вплоть до 8"

Результаты:
Скорость: 0.4 мкм/мин
Высокая селективность к SiO2 расположенному снизу
Селективность к фоторезистивной маске > 3 : 1
Изменение ширины линии< 0.05 мкм/сторону
в пассивации / полоса сопротивления (?)


Рис. 3. Лаборатория OPT: анизотропное травление Al с малым изменением ширины линии.

Оборудование:
Plasmalab System 80 Plus
Plasmalab System 100/133 (кластер)

Технология:
Реактивное ионное травление
с ИСП источником (13.56 МГц)
Индуктивно-связанная плазма
Электрод подложки, управляемый RF
Контроль температуры подложки
Многошаговый процесс, основанный на HBr, Cl2




Рис. 4. Plasmalab System100 загрузочным шлюзом и источником ИСП380.