Травление

Можно выделить следующие причины, лимитирующие применение влажных процессов:

1. Размер рисунка не может быть меньше 2 мкм.
2. Влажное травление – изотропный процесс, что приводит к формированию рисунка с наклонными стенками.
3. Влажное травление требует многоступенчатой промывки и сушки.
4. Используемые химикаты, как правило, сильноядовиты и токсичны.
5. Влажные процессы вносят дополнительные загрязнения.


Si-Ge. Травление галогенсодержащими радикалами, образованными в газоразрядной плазме, и называемое радикальным травлением (РТ) характеризуется низким уровнем радиационного и теплового воздействия на обрабатываемые изделия. Этот факт является особенно важным при переходе к субмикронной и нанометровой технологиям.

Решающим достоинством травления в низкотемпературной плазме является возможность анизотропного травления, под которым понимается усиленное травление вглубь материала. Как известно, для увеличения анизотропного травления необходимо понижение рабочего давления и использование зарядов с магнитным удержанием плазмы.
Снижение давления в технологическом объеме плазмохимического реактора приводит к тому, что увеличивается длина свободного пробега частиц, ответственных за травление, вследствие чего возрастает анизотропия травления.