Deep GaP
Глубокое травление GaP в индуктивно-связанной плазме.Технология:
- Реактивное ионное травление с ИСП источником (2 или 13 МГц)
- Индуктивно-связанная плазма
- Электрод подложки управляемый РЧ
Рис. 1. Технология ИСП.
- Скорость: 2.6 мкм/мин
- Хорошая равномерность
- Селективность к PR > 12 : 1
- Селективность к SiO2 маске 120 : 1
Рис. 2. 80мкм травление.
Dr. Lamontagne использует Plasmalab System 100
для процессов с III-V полупроводниками.
Установка оборудована ИСП 180 источником.
С любезного разрешения:
National Research Council, Ottawa
Institute for Microstructural Sciences
Dr Boris Lamontagne
Рис. 3. 85 мкм анизотропное ИСП травление.
Процесс травления может быть произведен на Plasmalab System100.
Система PlasmalabSystem100 позволяет
наиболее гибко проводить процессы травления и осаждения в
индуктивно-связанной плазме (ICP-PECVD), реактивно-ионного травления
(RIE), плазмохимического травления (PE) и плазменно стимулированного
химического осаждения (PECVD). Данная система способна решить широкий
круг задач в области составных полупроводников, оптоэлектроники,
фотоники, микромеханики (MEMS) и микропневматики.
Рис. 4. Внешний вид Plasmalab System 100 с источником ИСП380.